GD55LT512WE
性能参数
技术文档
开发工具
性能参数
状态
MP
电压
1.65V~2.0V
容量
512Mb
I/O总线
Single I/O
Quad I/O
QPI
DTR
频率(MHz)
166(x1 x4)
200(x4 DTR)
主要特性
ECC
DTR
Default 4I/O
H/W RESET
WP#
Security Registers with OTP Locks
Suspend
Unique ID
RWW
封装
SOP16 300mil
TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)
温度
-40℃~85℃
-40℃~105℃
-40℃~125℃
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